[22p-H116-1~6] 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

△ [22p-H116-6] Ag₂Te中間層を導入したSi基板上のAgGaTe₂作製と太陽電池応用

〇(D)宇留野 彩¹、小林 正和^1,2 (1.早大先進理工、2.早大材研)

キーワード：カルコパイライト、近接昇華法

CdTeは近接昇華法を用いることで低コストかつ変換効率の高い太陽電池が作製できる。そこでTe系I-III-VI₂族カルコパイライト材料に着目した。なかでもAgGaTe₂はEg=1.3eVと太陽電池応用に適している。これまでに近接昇華法を用いてSi基板上にAgGaTe₂が作製を行ってきたが、GaによるSiのメルトバックエッチングが起こってしまう。そこで本研究ではAg₂Te中間層を導入し、膜厚等を変化させながら、Si基板上AgGaTe₂の作製を試みた。また作製後太陽電池特性の評価も試みた。