[22p-H121-1~7] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [22p-H121-6] 組成傾斜GaInNを用いた窒化物半導体トンネル接合

〇高須賀 大貴¹、井野 正貴¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹、上山 智¹、赤﨑 勇^1,2 (1.名城大、2.名古屋大・赤崎記念研究センター)

キーワード：半導体、トンネル接合