[22p-S222-1~9] 21.1 Joint Session K

[22p-S222-1] Effects of impurities on IGZO TFT Characteristics

〇JUNICHI SAKAMOTO¹, MASAKI TAKEI¹, MOTOSHI KOBAYASHI¹, JUNYA KIYOTA¹, KAZUYA SAITO¹ (1.ULVAC,Inc)

Keywords:Transparent Oxide Semiconductor,IGZO,Sputter

IGZOを成膜する際、チャンバー内の不純物ガスであるH₂OがIZGO TFTの初期特性や信頼性に与える影響を評価した。結果、H₂O分圧の上昇に伴ってTFTの初期特性はV_on特性がプラス側にシフトすることが分かった。信頼性評価は、ストレス印加後のV_on変化量が増加することが分かった。