[22p-S222-1~9] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[22p-S222-1] IGZO TFT特性における不純物の影響

〇坂本 純一¹、武井 応樹¹、小林 大士¹、清田 淳也¹、齋藤 一也¹ (1.株式会社アルバック)

キーワード：酸化物半導体、IGZO、スパッタ

IGZOを成膜する際、チャンバー内の不純物ガスであるH₂OがIZGO TFTの初期特性や信頼性に与える影響を評価した。結果、H₂O分圧の上昇に伴ってTFTの初期特性はV_on特性がプラス側にシフトすることが分かった。信頼性評価は、ストレス印加後のV_on変化量が増加することが分かった。