[22p-S222-1~9] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [22p-S222-2] 低電流動作非晶質InGaZnO抵抗変化メモリに関する研究

〇門 圭佑¹、山内 祥光¹、鍋坂 恭平¹、藤井 茉美¹、Juan Paolo Bermundo¹、石河 泰明¹、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大)

キーワード：抵抗変化メモリ、非晶質InGaZnO、低電流動作