[22p-S222-1~9] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[22p-S222-4] 高感度a-InGaZnO TFT pHセンサのVgs応答特性

〇竹知 和重¹、田邉 浩¹、岩松 新之輔²、今野 俊介²、矢作 徹²、阿部 泰²、加藤 睦人² (1.NLTテクノロジー、2.山形県工技セ)

キーワード：酸化物半導体薄膜トランジスタ、トップゲート効果、pHセンサ

a-InGaZnO TFTのトップゲート効果を活用した高感度pHセンサに関して、微小pH変化に対するVgsレスポンスを測定した。その結果、0.1ステップのpH値変化(4.6→5.64→4.6)に対して、センシング出力として約45mVステップのVgs変化を可逆的に線形性よく検出することができた。