[22p-S222-1~9] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[22p-S222-5] a-InGaZnO TFTの光誘起トップゲート効果

〇竹知 和重¹、田邉 浩¹ (1.NLTテクノロジー)

キーワード：酸化物半導体薄膜トランジスタ、トップゲート効果、光照射

透明トップゲート電極を有するa-InGaZnO TFTの上部から425nm±5nmの青色光を照射した状態、及び暗状態にてボトムゲート特性のトップゲート電圧(Vtg)依存性を測定したところ、負Vtgの絶対値が大きくなるにつれて光照射状態と暗状態での特性差(光応答)が著しく大きくなることが分かった。このような光誘起トップゲート効果は、負Vtg制御によるa-InGaZnO TFTの可視光センサへの応用可能性を示唆するものであり、応用・デバイス物理の両観点で興味深い。