[22p-S222-1~9] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[22p-S222-9] 水系塗布型IGZO-TFTにおける塗布型有機ゲート絶縁膜の適用

〇中田 充¹、福田 伸子²、辻 博史¹、宮川 幹司¹、藤崎 好英¹、山本 敏裕¹ (1.NHK技研、2.産総研)

キーワード：酸化物半導体、TFT