[22p-W521-1~6] 12.4 有機EL・トランジスタ

[22p-W521-5] フェナセン系薄膜電界効果トランジスタの論理回路応用

三上 隆弘¹、〇江口 律子¹、下 侑馬¹、浜尾 志乃¹、後藤 秀徳¹、岡本 秀毅¹、林 靖彦¹、久保園 芳博¹ (1.岡山大院自然)

キーワード：有機電界効果トランジスタ、フェナセン系分子

本研究では、フェナセン系分子を用いたpチャネルFETと他分子を用いたnチャネルFETを組み合わせることによって論理回路を作製し，それらの動作特性を評価した．またその回路を連続してつなげたリングオシレータを作製し，その特性を調べた．