[22p-W541-1~8] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [22p-W541-1] 原子拡散接合で作製されたPIN-ダイオードの電気特性

〇山田 友輝¹、魚本 幸²、島津 武仁²、名田 允洋¹、松崎 秀昭¹ (1.NTT先端集積デバイス研、2.東北大学)

キーワード：ウエハ接合、ダイオード、電気特性

半導体ウエハ接合技術は、格子定数にとらわれない材料選択が可能な為、半導体デバイスを作製する上でその設計自由度を高めることが出来る有望な技術である。原子拡散接合は金属薄膜表面の原子拡散を利用することで、常温常圧でのウエハ接合を可能にする手法であり、接合界面の半導体結晶品質の劣化を抑制した接合が期待できる。本研究では、原子拡散法によりPINダイオードを作製し、その電気特性を評価したので報告する。