[22p-W541-1~8] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[22p-W541-3] 50 GHz帯におけるInGaAs/InAlAs HEMTの雑音特性

〇渡邊 一世¹、遠藤 聡^1,2、三村 高志^1,2、笠松 章史¹ (1.情報通信研究機構、2.富士通研究所)

キーワード：InGaAs、高電子移動度トランジスタ、雑音特性

ゲート長35 nmのIn_0.7Ga_0.3As/In_0.52Al_0.48As HEMTを作製し、周波数50 GHzにおける雑音特性をオンウェハ・ソースプルで評価した。この結果、V_ds = 0.4 V、V_gs = -0.2 Vのバイアス条件下で最小雑音指数(NF_min) 0.6 dBおよび利得4.7 dBを達成するとともに、このNF_minはこれまで論文等で報告されているInGaAs/InAlAs HEMTの周波数50 GHz近傍の雑音指数の中で最小の値であった。