14:15 〜 14:30
[22p-W541-6] ダブルNO2ホールドーピングを用いたダイヤモンド電界効果トランジスタの作製
キーワード:ダイヤモンド、FET
我々はNO2ホールドーピングにより、ダイヤモンドFETを作製しているが、今回、NO2ホールドーピングを2回行うことにより特性が向上した。
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
2016年3月22日(火) 13:00 〜 15:00 W541 (西5号館)
重川 直輝(大阪市立大)
14:15 〜 14:30
キーワード:ダイヤモンド、FET