2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[22p-W541-1~8] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2016年3月22日(火) 13:00 〜 15:00 W541 (西5号館)

重川 直輝(大阪市立大)

14:15 〜 14:30

[22p-W541-6] ダブルNO2ホールドーピングを用いたダイヤモンド電界効果トランジスタの作製

嘉数 誠1、原田 和也1、古賀 優太1、花田 賢志1、大石 敏之1 (1.佐賀大院工)

キーワード:ダイヤモンド、FET

我々はNO2ホールドーピングにより、ダイヤモンドFETを作製しているが、今回、NO2ホールドーピングを2回行うことにより特性が向上した。