[22p-W541-1~8] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[22p-W541-7] Ga₂O₃ (010)上に堆積したSiO₂膜におけるポストアニールの影響

〇小西 敬太¹、上村 崇史¹、ワン マンホイ¹、佐々木 公平^2,1、倉又 朗人²、山腰 茂伸²、東脇 正高¹ (1.情通機構、2.タムラ製作所)

キーワード：酸化ガリウム、シリコン酸化膜、ポストアニール