13:30 〜 13:45 [6p-A201-1] n 型4H-SiC エピタキシャル層の 微量Vドーピングによる少数キャリア寿命制御 〇村田 晃一1、俵 武志2,3、楊 安麗1、宮澤 哲哉1、土田 秀一1 (1.電中研、2.産総研、3.富士電機)