TIAN LI

発表者・著者、共著者

2017年9月5日(火) 14:45 〜 19:00 C18 (C18)

一般セッション(口頭講演)
| CS コードシェアセッション
| 【CS.10】10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）,10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術, 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術のコードシェアセッション

[5p-C18-8~21] 【CS.10】10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）,10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術, 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術のコードシェアセッション

18:45 〜 19:00

▲ [5p-C18-21] Origin of Threshold Current Density for Asymmetric Magnetoresistance in Pt/Py Bilayers

〇TIAN LI¹、Sanghoon kim¹、Seung-Jae Lee²、Seo-Won Lee²、Tomohiro Koyama³、Daichi Chiba³、Takahiro Moriyama¹、Kyung-Jin Lee²、Kab-Jin Kim^1,4、Teruo Ono^1,5 (1.Kyoto Univ.、2.Korea Univ.、3.Univ. of Tokyo、4.KAIST、5.CSRN)

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