09:30 〜 11:30 [8a-PA4-26] ミストCVD法によるサファイア基板上のα-Ga2O3薄膜成長の条件検討 〇仲林 裕司1、山田 悟2、井藤 聡3、川江 健3 (1.北陸先端大、2.石川高専、3.金大理工)