17:45 〜 18:00 [5p-C17-16] 自立GaN基板上p+-nダイオードのエピ層表面モフォロジーによる不均一な電流密度分布 〇林 賢太郎1、太田 博1、堀切 文正2、成田 好伸2、吉田 丈洋2、藤倉 序章2、塩島 謙次3、中村 徹1、三島 友義1 (1.法政大、2.サイオクス、3.福井大院工)