16:00 〜 18:00 [6p-PA8-18] AlGaN/GaN HEMT構造におけるドット形凹凸AlGaN層形成によるコンタクト抵抗低減の検討 〇(M2)渡部 拓巳1、久永 真之祐1、星井 拓也1、角嶋 邦之1、若林 整1、岩井 洋1、筒井 一生1 (1.東工大)