09:15 〜 09:30 △ [7a-S22-2] Si基板上GaN成長のための反応性スパッタ法を用いたAlNバッファー層作製条件の検討 〇(M1)立島 滉大1,2、長田 貴弘2、石橋 啓次3、高橋 健一郎3、鈴木 摂3、小椋 厚志1、知京 豊裕2 (1.明治大理工、2.物質材料研究機構、3.株式会社コメット)