17:15 〜 17:30 [5p-C17-14] ドライエッチングしたGaN表面の酸化処理によるSiO2/GaN界面特性改善 〇(PC)山田 高寛1、渡邉 健太1、野崎 幹人1、高橋 言諸2、山田 永2、清水 三聡2、細井 卓治1、志村 考功1、渡部 平司1 (1.阪大院工、2.産総研)