一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
09:00 〜 09:15
〇高橋 圭1,2、村田 智城3、Wang Qing-Yan1、丸橋 一輝3、十倉 好紀1,3、川﨑 雅司1,3 (1.理研 CEMS、2.JST さきがけ、3.東大院工)
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09:15 〜 09:30
〇丸橋 一輝1、高橋 圭2,3、十倉 好紀1,2、川﨑 雅司1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS、3.JSTさきがけ)
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09:30 〜 09:45
〇元結 啓仁1、李 智蓮1、谷内 敏之1、高橋 竜太1、リップマー ミック1、辛 埴1 (1.東大物性研)
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09:45 〜 10:00
〇(PC)杉山 一生1、柴田 直哉2,3、幾原 雄一2,3,4 (1.東工大物質理工、2.東大工、3.JFCC、4.東北大AIMR)
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10:00 〜 10:15
〇金井 茉莉子1、丸山 伸伍1、松本 祐司1 (1.東北大院工)
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10:15 〜 10:30
〇(M1)中村 直人1、西尾 和記1、清水 亮太1、杉山 一生1、一杉 太郎1 (1.東工大物質理工)
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10:45 〜 11:00
〇片山 司1 (1.東工大)
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11:00 〜 11:15
〇田中 駿也1、沓澤 大1、廣瀬 靖1、長谷川 哲也1 (1.東大院理)
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11:15 〜 11:30
〇高橋 綱己1、Zeng Hao2、金井 真樹1、Zhang Guozhu1、He Yong1、長島 一樹1、柳田 剛1,2 (1.九大先導研、2.九大総理工)
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11:30 〜 11:45
〇安西 宇宙1、高橋 綱己2、Zhang Guozhu2、金井 真樹2、He Yong2、長島 一樹2、柳田 剛1,2 (1.九大総理工、2.九大先導研)
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