一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
09:00 〜 09:15
〇滝口 雄貴1、折坂 葵2、宮島 晋介2 (1.東工大院理工、2.東工大工学院)
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09:15 〜 09:30
〇折坂 葵1、滝口 雄貴2、宮島 晋介1 (1.東工大工学院、2.東工大院理工)
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09:30 〜 09:45
〇揚野 哲也1、税所 健1、前田 大輝1、野見山 輝明1、堀江 雄二1、小ヶ口 晃2 (1.鹿児島大学 院 理工、2.タカタ株 技術本部)
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09:45 〜 10:00
〇若島 涼1、河合 俊和1、池之上 卓己1、三宅 正男1、平藤 哲司1 (1.京大院エネ科)
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10:00 〜 10:15
〇(M2)Jingwen Hu1、Sakika Ogura1、Yuuki Sato1、Shinzo Yoshikado1 (1.Doshisha Univ.)
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10:30 〜 10:45
〇北沢 侑加1、賈 軍軍1、中村 新一1、重里 有三1 (1.青学大)
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10:45 〜 11:00
〇中島 伸夫1、野地 祐磨1、大城 佳祐1 (1.広島大院理)
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11:00 〜 11:15
〇(M2)BODONG ZHANG1、Munetoshi Seki1、Hiroyasu Yamahara1、Hitoshi Tabata1 (1.Univ. of Tokyo)
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11:15 〜 11:30
〇川口 拓哉1、及川 純平1、簑原 誠人2、堀場 弘司2、組頭 広志2、樋口 透1 (1.東理大理、2.高エネ研)
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11:30 〜 11:45
〇牧 采佳1、市村 正也1 (1.名工大)
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11:45 〜 12:00
〇穴澤 俊久1、眞鍋 敏夫1、天田 英之1、熊坂 文明1、淡路 直樹1、今中 佳彦1 (1.富士通研)
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