シンポジウム(口頭講演)

[8a-A203-1~5] 革新デバイスを支えるIII-V族半導体の成長技術

2017年9月8日(金) 09:00 〜 11:45 A203 (203)

下村哲(愛媛大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:30

[8a-A203-1] 量子ドットフォトニクスの展望

〇荒川泰彦^1,2 (1.東大生研、2.東大ナノ量子機構)

09:30 〜 10:00

[8a-A203-2] 自己形成量子ドットの進展

〇山口浩一¹ (1.電通大基盤理工)

10:00 〜 10:30

[8a-A203-3] 半導体量子ドットにおけるスピンダイナミクスと光デバイスへの応用

〇村山明宏¹ (1.北大院情報科学)

10:45 〜 11:15

[8a-A203-4] ２次元成長，３次元成長を分ける成長メカニズム

〇伊藤智徳¹ (1.三重大院工)

11:15 〜 11:45

[8a-A203-5] MOVPE選択成長法によるナノワイヤ成長とデバイス応用

〇冨岡克広¹、本久順一¹ (1.北大院情報科学および量子集積センター)

シンポジウム(口頭講演)

[8p-A203-1~4] 革新デバイスを支えるIII-V族半導体の成長技術

2017年9月8日(金) 13:15 〜 15:15 A203 (203)

石川史太郎(愛媛大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:15 〜 13:45

[8p-A203-1] 高指数面上の副格子交換エピタキシーと面発光テラヘルツ素子

〇北田貴弘¹、盧翔孟¹、南康夫¹、熊谷直人²、森田健³ (1.徳島大理工、2.産総研、3.千葉大工)

13:45 〜 14:15

[8p-A203-2] GaAsを用いた高感度テラヘルツバイオチップ開発に向けて

〇斗内政吉¹ (1.阪大レーザー研)

14:15 〜 14:45

[8p-A203-3] シリコン基板上InPテンプレート上のエピタキシャル成長とレーザ作製への展開

〇松尾慎治¹ (1.NTT)

14:45 〜 15:15

[8p-A203-4] 超格子の結晶成長技術と太陽電池応用

〇杉山正和¹ (1.東大先端研)

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