[5a-A203-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[5a-A203-1] 4H-SiC/SiO₂界面におけるNO酸窒化による炭素窒素置換反応

〇山崎 隆浩^1,2、田島 暢夫^1,2、奈良 純^1,2、清水 達雄³、加藤 弘一⁴、大野 隆央^1,2 (1.物材機構、2.MARCEED、3.東芝研究開発センター、4.東大生産研)

キーワード：第一原理分子動力学法、酸窒化、4H-SiC

4H-SiC(0001)/SiO₂界面にNO分子を連続的に導入し、有限温度(2000K)の第一原理分子動力学計算を行った。界面で解離したNO分子のN原子は界面直下のCと置換し、CはSiO₂領域に押し出される。直接的に反応するわけではないが、一連の経過から、解離したNはCと置換し、CはＯがCOとして真空側に脱離するとみなすことができる。欠陥のない界面ではNOの解離反応は起こりにくい。