[5a-A203-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[5a-A203-2] 第一原理計算による窒化処理後のSiC/SiO₂界面構造探索

〇小野 倫也¹ (1.筑波大学計算科学研究センター)

キーワード：SIC、MOS界面、第一原理計算