[5a-A203-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[5a-A203-3] 三次元アトムプローブを用いたSiO₂/SiC界面窒素の評価

〇山田 敬一^1,2、藤掛 伸二^1,3、岩橋 洋平¹、原田 信介¹、矢野 裕司⁴、奥村 元¹ (1.産総研、2.東レリサーチセンター、3.富士電機、4.筑波大学)

キーワード：SiO2/SiC、窒素、三次元アトムプローブ

SiO₂/SiC界面のNは、界面準位密度や移動度に深く関与する重要なパラメータであり、SiO₂中のNは閾値変動への、SiC中のNは閾値低下への影響が懸念される。本研究では窒化原料として¹⁵NO（1.1%N₂希釈）ガスを用いることでSiO₂/SiC界面NのAPT測定を行い、界面のN挙動を評価するとともにAPTの有効性を確認した。