[5a-A203-1~10] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[5a-A203-3] Evaluation of nitrogen depth profile at nitrided SiO₂/SiC interface using APT

〇Keiichi Yamada^1,2, Shinji Fujikake^1,3, Youhei Iwahashi¹, Shinsuke Harada¹, Hiroshi Yano⁴, Hajime Okumura¹ (1.AIST, 2.Toray Research Center, 3.Fuji Electric, 4.Univ. of Tsukuba)

Keywords:SiO2/SiC, Nitrogen, Atom Probe Tomography

SiO₂/SiC界面のNは、界面準位密度や移動度に深く関与する重要なパラメータであり、SiO₂中のNは閾値変動への、SiC中のNは閾値低下への影響が懸念される。本研究では窒化原料として¹⁵NO（1.1%N₂希釈）ガスを用いることでSiO₂/SiC界面NのAPT測定を行い、界面のN挙動を評価するとともにAPTの有効性を確認した。