[5a-A203-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[5a-A203-4] 低温局所DLTS法による伝導帯近傍の界面準位分布の可視化

〇阿部 貴之¹、山岸 裕史¹、長 康雄¹ (1.東北大通研)

キーワード：界面準位、DLTS、SNDM

SiO₂/SiC界面欠陥のうち伝導帯端近傍に高密度で分布する欠陥がMOSデバイス実用化の妨げになっている。界面準位密度分布を2次元的に評価可能な局所DLTS法を低温で行い、より浅い準位が多く分布することを確認した。