[5a-A204-1~11] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

△ [5a-A204-6] Effects of Carbon Concentration on Oxygen Precipitation through Annealing Processin n-type Cz-Si Evaluated by IR Light Scattering Tomography

〇Kousuke Kinoshita¹, Takuto Kojima¹, Yoshio Ohshita², Atushi Ogura¹ (1.Meiji Univ., 2.Toyota Tech. Inst.)

Keywords:silicon, Cz method

ｎ型単結晶Siはp型に比べてキャリア寿命が長いことなどから、次世代太陽電池への適用が期待されている[1]。Cz法で育成したSi結晶は、製造時に酸素が混入し、熱プロセスにより歪を伴う析出が進行し、変換効率低下の原因になる[2]。また、酸素の析出には炭素も関与しており、炭素濃度と析出物密度には明確な相関があることが報告されている[3]。そのため、太陽電池の変換効率向上には炭素が酸素析出に与える影響を理解することが重要である。
本研究では、炭素濃度の異なるウェーハを用意し、熱処理に伴う酸素析出物の密度およびサイズの変化を赤外線レーザートモグラフィー（IR-LST）を用いて評価した。