[5a-A301-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[5a-A301-8] 近接場光学顕微分光測定による緑色発光InGaN 量子井戸構造の高エネルギー発光成分の評価(2)

〇倉井 聡¹、三原 練磨¹、野畑 元喜¹、大川 康平¹、槇尾 凌我¹、岡田 成仁¹、只友 一行¹、矢野 良樹²、田渕 俊也²、松本 功²、山田 陽一¹ (1.山口大院・創成科学、2.大陽日酸)

キーワード：InGaN、近接場光学顕微分光、ポテンシャル障壁