[5a-A301-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [5a-A301-9] 偏光遷移領域におけるc面AlGaN量子井戸構造の量子細線型状態密度

〇坂井 繁太¹、南 琢人¹、小島 一信²、秩父 重英²、山口 敦史¹ (1.金沢工大、2.東北大多元研)

キーワード：半導体レーザ、状態密度