[5a-A504-1~12] 12.2 評価・基礎物性

△ [5a-A504-12] Ni₇₈Fe₂₂/Alq₃/Ni₇₈Fe₂₂接合素子における量子・古典状態間遷移領域に関する研究

〇佐々木 悠馬¹、三澤 貴浩¹、森 澄人¹、小峰 啓史²、星野 哲久³、芥川 智行³、藤岡 正弥¹、西井 準治¹、海住 英生¹ (1.北大電子研、2.茨大工、3.東北大多元研)

キーワード：分子ナノエレクトロニクス、有機半導体、輸送現象

我々は、Ni₇₈Fe₂₂/Alq₃/Ni₇₈Fe₂₂接合素子で見られる、量子状態と古典状態の遷移領域における電気伝導特性に関して、より詳細な実験と理論的検討を行うことを試みた。実験の結果、接合面積が増加するとともに、遷移領域での素子抵抗が増加する挙動が観測された。さらに、素子抵抗を量子状態での抵抗と古典状態での抵抗の並列回路で表し、それらを拡張シグモイド関数により重み付けすることで、この挙動を説明することに成功した。