2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[5a-C17-1~10] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2017年9月5日(火) 09:30 〜 12:15 C17 (研修室2)

大島 孝仁(佐賀大)

09:45 〜 10:00

[5a-C17-2] TiNを用いたGa2O3ショットキーバリアダイオードの電気特性

金子 喬1、宗田 伊里也1、星井 拓也1、若林 整1、筒井 一生2、岩井 洋2、角嶋 邦之1 (1.東工大工学院、2.東工大研究院)

キーワード:Ga2O3、酸化ガリウム、ショットキーバリアダイオード