2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[5a-C17-1~10] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2017年9月5日(火) 09:30 〜 12:15 C17 (研修室2)

大島 孝仁(佐賀大)

11:45 〜 12:00

[5a-C17-9] 界面顕微光応答法によるα-Ga2O3ショットキー接触の界面反応の2次元評価

今立 宏美1、神原 仁志2、徳田 梨絵2、松田 時宜2、四戸 孝2、塩島 謙次1 (1.福井大院工、2.(株)FLOSFIA)

キーワード:ショットキー接触、酸化ガリウム、界面顕微光応答法

我々は、コランダム構造酸化ガリウム(α-Ga2O3)にTi, Pt, Feのショットキー電極を形成し、熱処理による界面の反応過程を界面顕微光応答法で評価した。As-depo.試料で、良好なI-V特性と均一な光電流像が得られた。400 oCアニール後、光電流像において、Ti電極で均一なパターン、Pt電極で周辺部に著しい信号の増加、Fe電極で光電流がほとんど検出されない線状の反応領域が観察された。この結果から、本手法は電極の信頼性評価に有効であることが示された。