2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[5a-C21-1~9] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2017年9月5日(火) 09:00 〜 11:30 C21 (C21)

影山 健生(東大)

09:00 〜 09:15

[5a-C21-1] 成長時As分圧の異なる自己組織化InGaAs量子ドットの時間分解発光特性

浦部 晶行1、武石 一紀1、板橋 皓大1、鷲田 晃宏1、高山 純一1、樋浦 諭志1、村山 明宏1 (1.北大院情報科学)

キーワード:InGaAs量子ドット、時間分解発光