[5a-C21-1~9] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[5a-C21-3] 近接積層InAs/GaAs量子ドットの成長温度による電子状態の変化

〇海津 利行^1,2、喜多 隆¹ (1.神戸大院工、2.神戸大研究基盤セ)

キーワード：量子ドット、近接積層、電子状態