[5a-C21-1~9] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[5a-C21-4] InAs-GaAs量子ドットの空間規則性における成長速度依存性

〇小西 智也¹、Burrows Christopher²、Bell Gavin² (1.阿南高専、2.ウォーリック大)

キーワード：量子ドット、空間規則性、分子線エピタキシー

成長速度の異なるInAs-GaAs QDのAFM画像解析を行い、空間分布規則性をHopkins-Skellam indexによって比較した。成長速度が大きいほど高さ15 nm以下の小さいQDの数密度が増加するとともに規則性が向上し、QD間の相互作用が示唆された。成長速度が小さい場合は、数密度は減少したが、高さ20 nm以上の大きいQDも観測された。大きいQDは成長速度に関わらずランダムであり、内部転位によって誘発される粒成長やQD同士の結合に由来することが示唆された。