[5a-C21-1~9] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[5a-C21-6] GaAsSb/GaAs(001)上の 高密度 高密度 InAs量子ドット 量子ドット 層の発光特性 (2)

〇杉山 涼¹、立木 象¹、曽我部 東馬²、山口 浩一¹ (1.電通大　基盤理工、2.電通大　i-PERC)

キーワード：MBE、量子ドット