[5a-C21-1~9] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

△ [5a-C21-9] 光学顕微鏡マニピュレーションによるSi(111)上InGaAs単一microdiscの電流電圧特性評価

〇(D)渡邉 冬馬¹、石田 丈²、岩本 敏²、荒川 泰彦²、中野 義昭¹、杉山 正和³ (1.東大工、2.東大生産研、3.東大先端研)

キーワード：微小領域選択成長