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[5a-S44-10] E U V 光源ターゲットのアブレーションによる粒子発生のモデル構築
キーワード:流体シミュレーション、レーザーアブレーション、状態方程式
次世代半導体リソグラフィ用レーザープラズマEUV光源の実用化に重要な、プラズマの密度分布の最適化や、照射後残留するデブリ粒子の抑制方法を明らかにするためのシミュレーション研究について述べる。ラグランジ流体シミュレーションにメッシュの動的再配置アルゴリズムを導入することにより、レーザーアブレーションの過程における、気液相転移を経た粒子、気泡の生成ダイナミクスの解析を行う。