[5p-A202-1~18] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [5p-A202-10] レーザー励起光電子顕微鏡によるReRAMの化学状態の非破壊観測

〇(M2)川北 純平^1,2、島 久^2,3、内藤 泰久^2,3、秋永 広幸^2,3、谷内 敏之^1,2、辛 埴^1,2 (1.東大物性研、2.産総研・東大　オペランド計測　OIL、3.産総研ナノエレ)

キーワード：抵抗変化メモリ、光電子顕微鏡、オペランド計測

抵抗変化メモリReRAMの抵抗スイッチングのメカニズム解明のため、非破壊かつ高感度な顕微手法を持ちいた実デバイスのフィラメント観測が求められている。そこで、我々は表面・界面の電子状態をnmオーダーの高分解能で観察することができるレーザー励起光電子顕微鏡(Laser-PEEM)を用い、Pt/Ta₂O₅/TaO_x/Pt のフィラメントの非破壊観測を行った。その結果、厚さ10 nmのPt上部電極に埋もれたHRSとLRSの明瞭な違いを観測した。