[5p-A202-1~18] 6.3 Oxide electronics

[5p-A202-15] Mechanism analysis of resistive switching occurring at Pt/Nb:SrTiO₃ junction interface

〇Yuuto Hagihara¹, Kentaro Kinoshita², Hiromi Tanaka³, Satoru Kishida^1,4 (1.Tottori Univ., 2.Tokyo Univ. of Science, 3.NIT, Yonago Coll., 4.TiFREC)

Keywords:ReRAM, SrTiO3, Schottky barrier

本研究は次世代メモリとして注目されている抵抗変化メモリの抵抗変化機構に関する研究である. Pt/Nb:SrTiO₃接合界面で生じる抵抗変化に関する研究は数多くされているが, 未だ詳細な抵抗変化機構の解明には至っていない. そこで, 本研究では抵抗変化メモリに新たにXPS測定を適用し抵抗状態とSr, Ti, Oの価数について調査し, 抵抗変化機構の解明を目指した.