[5p-A202-1~18] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[5p-A202-15] Pt/Nb:SrTiO₃接合界面で生じる抵抗変化現象の機構解析

〇萩原 祐仁¹、木下 健太郎²、田中 博美³、岸田 悟^1,4 (1.鳥取大工、2.東京理科大、3.米子高専、4.TiFREC)

キーワード：ReRAM、SrTiO3、ショットキー障壁

本研究は次世代メモリとして注目されている抵抗変化メモリの抵抗変化機構に関する研究である. Pt/Nb:SrTiO₃接合界面で生じる抵抗変化に関する研究は数多くされているが, 未だ詳細な抵抗変化機構の解明には至っていない. そこで, 本研究では抵抗変化メモリに新たにXPS測定を適用し抵抗状態とSr, Ti, Oの価数について調査し, 抵抗変化機構の解明を目指した.