[5p-A202-1~18] 6.3 Oxide electronics

[5p-A202-17] Solid-phase epitaxy of iron oxide nanodots with improved crystallinity and their electrical properties

〇(M1)Tsukasa Terada¹, Takafumi Ishibe¹, Kentaro Watanabe^1,2, Yoshiaki Nakamura^1,2 (1.Osaka University, 2.CREST-JST)

Keywords:iron oxide, resistive random access memory, solid-phase epitaxy

我々は、安価で環境低負荷な高密度抵抗変化型メモリ材料としてSi基板上の鉄酸化物ナノドットに注目している。以前、極小Geを成長核として、Fe₃O_4-δナノドットをSi基板上に成長することに成功し、高いOff/On抵抗比(~100)を実現した。しかし、成長時にFe、Ge、酸素が反応する問題が生じた。そこで、本研究では固相エピタキシーとFeコーティング効果を用いて、Si基板上鉄酸化物ナノドットを固相成長させて、Off/On抵抗比を増大させることを目的とした。