[5p-A202-1~18] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[5p-A202-17] 固相エピタキシャル成長した鉄酸化物ナノドット/Siの結晶性改善とその電気特性

〇(M1)寺田 吏¹、石部 貴史¹、渡辺 健太郎^1,2、中村 芳明^1,2 (1.大阪大学、2.CREST-JST)

キーワード：鉄酸化物、抵抗変化メモリ、固相エピタキシー

我々は、安価で環境低負荷な高密度抵抗変化型メモリ材料としてSi基板上の鉄酸化物ナノドットに注目している。以前、極小Geを成長核として、Fe₃O_4-δナノドットをSi基板上に成長することに成功し、高いOff/On抵抗比(~100)を実現した。しかし、成長時にFe、Ge、酸素が反応する問題が生じた。そこで、本研究では固相エピタキシーとFeコーティング効果を用いて、Si基板上鉄酸化物ナノドットを固相成長させて、Off/On抵抗比を増大させることを目的とした。