2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[5p-A301-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

2017年9月5日(火) 13:15 〜 18:45 A301 (メインホール)

小島 一信(東北大)、本田 善央(名大)、齋藤 義樹(豊田合成)

18:00 〜 18:15

[5p-A301-17] 高反射フォトニック結晶によるAlGaN深紫外LEDの外部量子効率10%動作

鹿嶋 行雄1,2、前田 哲利1、松浦 恵里子1,2、定 昌史1、岩井 武3、森田 敏郎3、小久保 光典4、田代 貴晴4、上村 隆一郎5、長田 大和5、高木 秀樹6、平山 秀樹1 (1.理研、2.丸文、3.東京応化、4.東芝機械、5.アルバック、6.産総研)

キーワード:高反射型フォトニック結晶、光取出し効率、AlGaN系深紫外LED

AlGaN深紫外LEDの透明p-AlGaNコンタクト層に高反射型フォトニック結晶(HR-PhC)を、ナノインプリント及びICPドライエッチングでダメージレスに作成した。また、電極は斜め蒸着で作成した。HR-PhCの導入により、高反射率(75%)Ni/Mg電極蒸着では、外部量子効率(EQE)は7.5%から10%に増加した。