[5p-A301-1~19] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [5p-A301-3] Fabrication a low-temperature-grown p-side structure LED with tunnel junction

〇(M1)Junya Yoshinaga¹, Tatsuya Ichikawa¹, Kenta Suzuki¹, Norikatsu Koide¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Motoaki Iwaya¹, Isamu Akasaki^1,2 (1.Meijo Univ., 2.Nagoya Univ.)

Keywords:semiconductor, long wavelength, tunnel junction

本研究では、高い発光効率を有する長波長発光素子実現を目指して、低温成長による低抵抗GaInNトンネル接合を用いた低温成長p側構造の作製を検討している。p-GaNおよびn-GaNの低温成長の検討結果と、それらを利用した低温成長p側構造を有する青、黄色LEDの結果を報告する。