[5p-A301-1~19] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [5p-A301-4] Nitride-based buried tunnel junctions towards VCSELs

〇Yasuto Akatsuka¹, Ryota Fuwa¹, Sho Iwayama¹, Tetsuya Takeuchi¹, Motoaki Iwaya¹, Satoshi Kamiyama¹, Isamu Akasaki^1,2 (1.Fac.Sci.&Eng.,Meijo Univ., 2.Akasaki Research Center,Nagoya Univ.)

Keywords:Tunnel Junction

窒化物半導体トンネル接合は、高い吸収係数を持つITO電極の代わりとして、青色面発光レーザに活用されている。更に、このトンネル接合を埋め込むことで、電流狭窄構造として期待される。他研究機関の報告では、明確な電流狭窄が実現されているが、いくつかの課題も報告されている。本研究では、MOVPE法を用いてGaN自立基板上に低抵抗窒化物半導体トンネル接合を用いた埋め込みトンネル接合を形成し、電気的特性を評価した。