[5p-A301-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [5p-A301-5] 組成傾斜構造を用いたn型伝導AlInN/GaN多層膜反射鏡

〇村永 亘¹、赤木 孝信¹、吉田 翔太郎¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、赤﨑 勇^1,2 (1.名城大理工、2.名古屋大赤崎記念センター)

キーワード：多層膜反射鏡、AlInN/GaN、組成傾斜

我々はn型伝導を示すAl_0.82In_0.18N/GaN DBRを用いたVCSELの室温連続発振を報告した。その際、組成傾斜層を用いずとも良好な導電性が得られた。一方で、この40ペアDBRの反射率は理論値（99.9％）より低い99.4%であった。本研究では、n型伝導AlInN/GaN DBRのさらなる反射率の改善のための界面制御と、それに伴う導電性制御に関して検討した。その際、より急峻な界面を有するDBRでは意図的に組成傾斜層を用いる必要があったことを報告する。