[5p-A411-1~13] 15.2 II-VI and related compounds

[5p-A411-9] Deposition of CdZnTe films for radiation tolerant FEA image sensor

〇Tomoya Igari¹, Tamotsu Okamoto¹, Tomoaki Masuzawa², Yoichiro Neo², Hidenori Mimura² (1.NIT, Kisarazu Coll., 2.Shizuoka Univ.)

Keywords:CdZnTe, Close-spaced sublimation

東日本大震災に伴う福島第一原子力発電所事故以来，原子炉内部の状態を的確に把握するため，高い放射線耐性を有した小型撮像素子の開発が急務となっている．本研究では小型撮像素子としてFEA撮像素子を提案し，その要素技術であるCdTe光電変換膜のイメージセンサとしての構造の最適化を行っている．今回，CdTe光電変換膜の暗電流低減のため，CdTeにZnを添加したCdZnTe膜の作製を行ったので報告する．